必一運動官網必一運動官網三星西安工廠的工程師們發現,原本計劃升級至236層的NAND閃存產線突然陷入停滯:
因為根據新規,所有涉及美國的技術的設備進口都需要重新申請許可證,而審批流程可能長達9個月。
同一時間,SK海力士無錫工廠的韓國高管緊急飛往華盛頓,試圖解釋其200億美元投資的工廠對全球供應鏈的重要性 。
根據新規,三星和SK海力士在華工廠若要進口應用材料公司的刻蝕機或泛林集團的薄膜沉積設備,必須逐案向美國商務部申請許可,而審批通過率不足30%。
這意味著,三星西安工廠原本計劃在2026年實現的300層以上NAND技術突破,可能因設備延誤推遲兩年。
三星西安工廠生產的閃存芯片,60%供應中國市場的智能手機和服務器,40%通過香港轉口至東南亞。
美國通過限制設備升級,既削弱中國獲取先進存儲技術的能力,又迫使三星將新增產能轉移至得州泰勒工廠:
新規將在120天后的2025年12月31日生效,正好覆蓋中美經貿談判的關鍵期。
正如直新聞分析指出,這是典型的極限施壓策略:美國試圖用半導體籌碼換取中國在稀土出口、新能源汽車關稅等領域的讓步。
三星西安工廠在政策宣布后,立即將開工率從70%下調至50%,并暫停價值15億美元的設備采購計劃。
SK海力士則啟動雙軌制策略:一方面通過韓國政府向美國商務部提交237頁的技術豁免申請,另一方面悄悄在馬來西亞檳城建設新廠,計劃轉移20%的DRAM產能 。
2024年,三星和SK海力士在華存儲芯片產能占全球的38%,其中NAND閃存占比高達45%。
若美國禁令全面生效,全球服務器市場可能面臨15%的存儲短缺,推高數據中心建設成本。
而中國本土企業如長江存儲,正加速將232層堆疊技術導入量產,試圖填補這一空缺。
三星西安工廠目前使用的236層NAND技術,比長江存儲的232層領先約6個月。
但美國禁令導致三星無法升級至300層以上,反而為中國企業提供了寶貴的追趕窗口 。
2025年9月,臺積電宣布與德國博世集團合作,在德累斯頓建設汽車芯片工廠,專門生產符合歐盟《芯片法案》要求的車規級芯片。
與此同時,日本鎧俠與西部數據的合資企業一起宣布,他們將在美國亞利桑那州投資120億美元用來建設3D NAND工廠,以規避對華出口限制 。
長江存儲位于武漢的全國產化產線層芯片量產,從光刻機到光刻膠全部都是采用的國產設備。
現在的中芯國際北京工廠的14nm工藝良率已經提升到了95%,并且開始為華為代工5G基站芯片。
美國通過CHIPS法案吸引了超500億美元半導體投資,而中國半導體設備進口額在2025年上半年同比下降28%,國產設備市場份額突破40%。
這種平行體系的形成,可能使全球半導體市場分裂為三個主要板塊:以美國為核心的技術聯盟、以中國為中心的內需市場,以及東南亞的低成本制造基地。
這里生產的28nm芯片,雖然制程落后于臺積電的3nm,但通過Chiplet技術將多個模塊集成,性能達到14nm水平,成功應用于新能源汽車的電池管理系統。
國家大基金三期向長江存儲注資300億元,這筆錢就是專門用于300層以上NAND技術研發;
清華大學與華為聯合成立的存算一體芯片實驗室,已在類腦計算領域取得到了突破性的進展。
更關鍵的其實是市場需求的爆發:2025年中國新能源汽車產量預計突破1500萬輛,帶動車規級芯片需求增長200%,韓國企業的困境反而成為中國的機遇,為本土企業提供了天然的試驗場。
這場由美國發起的半導體戰爭,爭斗到后來,其實最終很可能成為中國科技崛起的催化劑和成功的來處。
當三星和SK海力士在政策夾縫中艱難求生時,中國企業正在構建從材料、設備到設計的完整產業鏈。
正如長江存儲一位工程師在接受采訪時所說:美國人以為卡住設備就能阻止我們,卻不知道真正的創新永遠來自市場需求的倒逼。
在這場沒有硝煙的戰爭中,真正的贏家或許不是技術最先進的企業,而是最能適應變局的經濟體。
1. 財經雜志:美國撤銷三星等在華半導體企業“經驗證最終用戶”授權,意味著什么
9. 抖音視頻:長江存儲100%國產化產線. 草原上擁抱晚霞人:中芯國際扔出“王炸”,美制裁變成“自裁”
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